随着新能源汽车、、、智能电网、、、轨道交通等高压场景急剧发展，，，市场对高耐压、、、低损耗功率半导体器件需要持续增长。作为第四代半导体主题资料，，，氧化镓凭借低导通损耗、、、高耐压等优势，，，被视为下一代高压功率电子的战术资料，，，同时被纳入国度战术性新兴产业重点方向。

持久以来，，，氧化镓从资料优势走向量产芯片，，，高质量同质外延技术是其产业化的重要技术难点。在国际主流的氧化镓晶面上，，，外延成长极易出现缺点，，，导致器件良率和现实耐压远低于理论预期，，，制约了行业规；；逃霉。

近日，，，通宝TB888光电结合西安电子科技大学宽禁带半导体国度工程钻研中心、、、荆门镓仁半导体有限公司，，，在氧化镓同质外延技术获得关键突破。结合团队选取金属有机化学气相沉积步骤，，，精准优化初始成核前提，，，成功克制孪晶缺点，，，已在2英寸衬底上获得高质量的同质外延层。测试了局批注：整片晶圆理论均方根粗糙度低于0.5nm，，，晶体质量与衬底相当，，，电子迁徙率达到100cm?/(V·s)。

基于上述外延片，，，结合团队优先发展横向功率器件。相比于纵向结构必要导电衬底和厚外延、、、且面对氧化镓p型掺杂难题的固有挑战，，，横向器件可充分阐扬半绝缘衬底断绝漏电的优势，，，通过矫捷设计栅漏间距来接受更高电压，，，同时与现有平面硅工艺高度兼容。在未使用特殊终端结构的情况下，，，该横向器件击穿电压达到1420V，，，开关比达10?，，，阈值电压均匀性超过91%，，，验证了从资料到器件的整体工艺水平。

目前，，，结合团队已具备2英寸氧化镓外延及器件制备能力，，，并占有向6英寸及更大尺寸扩大的工艺基础。这次通宝TB888光电与西电、、、镓仁的产学研技术突破，，，为氧化镓在智能电网、、、新能源汽车等高压场景的落地利用提供了关键技术支持，，，将有效推动第四代半导体技术贸易化过程。